在對(duì)兩者性能進(jìn)行對(duì)比前，我們需要對(duì)閃存顆粒儲(chǔ)存信息的方式有所了解。  

閃存存儲(chǔ)信息的方式，是在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中完成。

在對(duì)一個(gè)閃存單元編程的時(shí)候，電壓加到控制柵極上，形成一個(gè)電場(chǎng)，讓電子穿過(guò)硅氧化物柵欄，達(dá)到浮動(dòng)?xùn)艠O。穿越過(guò)程完成后，控制柵極上的電壓會(huì)立刻降回零，從而達(dá)到儲(chǔ)存信息的目的，擦除信息的方法也與之相似。

而TLC和MLC的MOSFET是一樣的，區(qū)別在于其編程的狀態(tài)不同：MLC需要儲(chǔ)存兩個(gè)信息，因此就需要四種狀態(tài)了，以計(jì)算機(jī)的二進(jìn)制來(lái)理解，既0、1、10、11，而TLC儲(chǔ)存三個(gè)信息，則需要八種狀態(tài)，既0、1、10、11、100、101、110、111。儲(chǔ)存的信息多就等于帶來(lái)了更多不穩(wěn)定因素。每個(gè)單元儲(chǔ)存的信息越少，運(yùn)行起來(lái)也越快。自然性能也就更好

就性能方面而言，MLC SSD的性能會(huì)優(yōu)于TLC SSD。

MLC VS TLC：壽命

在壽命方面的比較上，MLC依舊優(yōu)秀于TLC，由于制造方式與成本的不同，導(dǎo)致兩者產(chǎn)生了使用壽命上的差距。

以擦寫(xiě)次數(shù)來(lái)算，MLC的擦寫(xiě)次數(shù)在3000~10000次，TLC的擦寫(xiě)次數(shù)約為500次，所以使用壽命上的比較顯而易見(jiàn)。

MLC VS TLC：成本

TLC SSD的生產(chǎn)成本比MLC SSD要低，從顆粒的擦寫(xiě)次數(shù)也能猜得出，既然MLC的擦寫(xiě)次數(shù)要高于TLC，最根本的原因就是在技術(shù)與制造成本上要高，TLC閃存相較于MLC閃存可降低至少20%的制造成本，這也令TLC產(chǎn)品擁有更實(shí)惠的售價(jià)。

MLC VS TLC：價(jià)格

決定價(jià)格最根本的原因之一就是制造成本，在成本上，TLC的制造成本比MLC的低，自然產(chǎn)品售價(jià)也是TLC SSD更為便宜。因?yàn)門(mén)LC SSD的面世，令SSD市場(chǎng)產(chǎn)生了巨大的改變，TLC SSD的價(jià)格成為了一般消費(fèi)層的主流產(chǎn)品，顯然相比起MLC SSD，TLC SSD才是更符合大眾消費(fèi)水準(zhǔn)的產(chǎn)品。

我們選取一款TLC SSD與MLC SSD進(jìn)行對(duì)比。三星860 EVO SSD采用TLC顆粒，而三星970 RRO采用MLC顆粒，同樣取1TB容量進(jìn)行比較。三星860 EVO 1TB售價(jià)大約在2200左右，而三星 970 PRO 1TB的售價(jià)在4500左右，由此可見(jiàn)，TLC SSD的超高的性?xún)r(jià)比，自然也是一般家用機(jī)和筆記本的首選。

MLC VS TLC：發(fā)展趨勢(shì)