三星在NVIDIA的GPU技術大會（GTC）上發(fā)布了新的高帶寬HBM2E產(chǎn)品，為下一代超級計算機、圖形系統(tǒng)和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。

三星曾在2018年1月宣布開始批量生產(chǎn)第二代8GB高帶寬HBM2產(chǎn)品，每個引腳提供2.4Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度。三星新一代的HBM2E每個引腳提供3.2Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度，比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每個芯片密度為16Gb，是上一代產(chǎn)品的兩倍。

三星通過不斷的創(chuàng)新和改進，單個HBM2E封裝芯片將提供410GBps的數(shù)據(jù)帶寬和16GB容量。

除了三星，SK海力士曾在2017年8月宣布量產(chǎn)HBM2產(chǎn)品，分別是2GB、4GB、8GB容量，最高寬帶可高達256GB/s的帶寬，在2018年度報告中也表示，將積極響應客戶對HBM2和GDDR6產(chǎn)品的需求。

HBM（High bandwidth memory）主要是與GDDR展開競爭，在消費類市場，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等極少數(shù)產(chǎn)品應用了HBM2，專業(yè)市場AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大，但是成本是其普及的最大制約因素。

三星電子存儲產(chǎn)品規(guī)劃和應用工程團隊高級副總裁Jinman Han表示：“Flashbolt將為下一代數(shù)據(jù)中心、人工智能、機器學習和圖形應用提供業(yè)界領先增強性能的解決方案，我們將繼續(xù)擴大我們的優(yōu)質DRAM產(chǎn)品，并不斷在高性能、高容量、低功耗存儲方面創(chuàng)新和進步，以滿足市場需求。”

來源丨中國閃存市場